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碳布上非晶NiCoP纳米片阵列的制备及其高性能固态混合超级电容器
出处:材料分析与应用  录入日期:2024-03-20  点击数:429

  1成果简介


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  非晶态过渡金属磷化物(TMPs)的卓越性能在储能设备领域备受关注。然而,目前获得 TMPs 的方法需要 350 ℃ 以上的高磷化温度,这会导致结晶度升高,超级电容性能降低,同时磷化剂的利用率也不高。本文,兰州理工大学Deyi Zhang等研究人员在《ChemistrySelect》期刊发表名为“Preparation of the Amorphous NiCoP Nanosheet Array on Carbon Cloth for High-Performance Solid-State Hybrid Supercapacitor”的论文,研究设计了一种特制的石英反应器来解决这一难题。利用专门设计的反应器,在 280 °C 的相对较低的磷化温度下,成功地在碳布上合成了非晶镍钴磷纳米片阵列。在碳布上生长的纳米片阵列在电流密度为 1 Ag-1时显示出 338.33 mAhg-1 的高比容量,同时具有优异的循环稳定性,在 1000 次循环后仍能保持 92.3% 的初始容量。使用制备的非晶 NiCoP@CC-1 材料组装的非对称固态混合超级电容器在功率密度为 800 Wkg-1时显示出 50.98 Whkg-1的高能量密度,同时在循环 5000 次后仍能保持 92.7 % 的初始比容量。所提出的方法有望促进非晶 TMP 材料在高性能固态混合超级电容器开发中的应用。
  2图文导读 


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  图1、常用磷化法和改进磷化法示意图。


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  图2、制备的NiCoP@CC-x(x=1,2,3)材料的XRD图谱。


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  图3、NiCoP@CC-1 的 TEM 图像 (a–c) 和 TEM-EDS 映射图像 (d)。


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  图4、扫描速率为 3 mVs-1时 NiCoP@CC-x (x=1, 2, 3) 样品的 CV 曲线 (a),电流密度为 1 Ag-1时 NiCoP@CC-x 的 GCD 曲线 (b),不同电流密度下 NiCoP@CC-1 的 GCD 曲线 (c)、 NiCoP@CC-x 的速率性能(d)、NiCoP@CC-x 的奈奎斯特图(e)、NiCoP@CC-x 在电流密度为 7 Ag-1时的循环性能(f)。


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  图5、在不同的电压窗口下,以 10 mVs-1的扫描速率扫描组装后的 NiCoP@CC-1//IHPC 器件的 CV 曲线
  3小结
  在相对较低的 280 °C 磷化温度下,使用专门设计的反应器在碳布上成功合成了无定形镍钴锰酸锂纳米片阵列。在碳布上生长出的纳米片阵列在 1 Ag-1的电流密度下显示出 338.33 mAhg-1 的高比容量,同时具有优异的循环稳定性,在 1000 次循环后仍能保持 92.3 % 的初始容量。使用制备的非晶 NiCoP@CC-1 材料组装的非对称固态混合超级电容器在功率密度为 800 Wkg-1时具有 50.98 Whkg-1 的高能量密度,同时在循环 5000 次后仍能保持 92.7 % 的初始比容量。所提出的方法有望促进非晶 TMP 材料在高性能固态混合超级电容器开发中的应用。
  文献:


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