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自对准多通道晶圆尺度石墨烯纳米带晶体管阵列
出处:石墨烯网  录入日期:2018-01-12  点击数:48

      我们提出了一种使用先进的直接自组装(DSA)纳米光刻技术制备密集堆积的多通道石墨烯纳米带(GNR)阵列的大面积场效应晶体管(FET)新方法。我们策略的设计主要集中在FET通道的有效集成以及使用与制造工艺兼容的工艺(如热退火和化学气相沉积)。我们通过控制Au限制图案的厚度,实现了具有10nm半量程亚临界尺寸(CD)的线性堆叠的DSA纳米图案阵列。获得了优异的粗糙度值(〜10%的CD),证明了将10nm以下的GNR集成到商业半导体工艺中的可行性。基于这个简单的过程,具有如此密集的多通道GNR阵列的FET被成功地制备在6英寸的硅晶片上。使用这些高质量的GNR阵列,我们实现了使用传统光刻和嵌段共聚物光刻生产的类似器件,实现了迄今为止报道的最高性能(开关比大于102)的FET。

 

 


图1.石墨烯纳米带晶体管阵列制备示意图

 

 


图2.石墨烯纳米带晶体管阵列的高分辨率电镜图谱


      该工作已经发表于Nano Lett上了。(DOI: 10.1021/acs.nanolett.6b01542,Nano Lett. 2016, 16, 5378−5385)

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