目前，化学气相沉积法（CVD）已经是较为普遍的制备高质量大面积石墨烯的方法。一般来说，CVD最为常用的碳源就是以甲烷为代表的碳氢化合物，因为甲烷比较单一的分子结构和气相状态会有益于高质量石墨烯的形成。然而，之前我们也介绍过，由于反应过程具有较高的温度，气氛中存在的任何碳原子都有可能参与反应，成为制得石墨烯的一部分。中国电子科技大学的李雪松课题组[1]最近报导了在“没有”碳源通入的条件下，也可以在铜基底上生长获得石墨烯的发现。
那究竟是哪里的碳原子按照六边形排列，构成了这种“不需要碳源”的石墨烯呢？如图1所示[1]，在他们所使用的低压CVD设备中，配置的用来抽真空的油泵贡献了石墨烯的生长。油泵与管式炉的管腔直接连接，在其运作抽真空的过程中，其中的泵油蒸气反馈到系统中，直接作为石墨烯生长的原理，参与反应。值得说明的是，即便是油泵位于系统气流的下游，还是形成了碳源的非刻意引入。可想而知，我们在通过CVD发制备石墨烯的时候，周围环境的变化，或是反应腔中不纯净的气氛都会影响石墨烯的生长。
图1. 低压CVD设备示意图[1]
这篇报道很好地说明了在不同的课题组制备得到的石墨烯的差异性。同时，也让我们充分地认识到石墨烯制备过程的复杂性，碳原子作为有机生命基体组成的一部分，广泛地存在于我们的实验环境中，如何才能有效避免这些不请自来的碳源的影响？又或者如何才能有效地提高这些碳原子的利用率？只有深入地分析清楚这些，才能有效地提高CVD法的可控性，更有助于提升高质量石墨烯制备的可重复率。
文章引用： Qing F, Jia R, Li B, Liu C, LiC, Peng B, et al. Graphene growth with 'no' feedstock. 2D MATERIALS.2017;4(2):25089.
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