成果介绍
近日，瑞士日内瓦大学Alberto F. Morpurgo和Giulia Tenasini（共同通讯作者）等报道了通过双层石墨烯(BLG)/三卤化铬(CrX3;X=Cl,Br,I)范德华界面传输的实验研究。在所有情况下，都会发生从BLG到CrX3的大量电荷转移（达到超过1013 cm-2的密度），并产生垂直于界面的电场，从而在BLG中打开带隙。本文确定了电导率活化能的差距，并发现与最新理论非常一致，该理论解释了σ带对BLG介电敏感性的贡献。进一步研究表明，对于BLG/CrCl3和BLG/CrBr3，可以从低温电导率的栅极电压依赖性中提取带隙，并利用这一发现来细化带隙对磁场的依赖性。本文的研究结果允许将BLG的电子性质与理论预测进行定量比较，并表明占据CrX3导带的电子是相关的。
图文导读
图1. BLG/CrX3界面中的带隙打开。
图2. BLG/CrX3异质结中平方电导的温度演变
图3. BLG/CrX3界面中带隙的电场依赖性。
图4. BLG带隙的磁场依赖性。
文献信息
Band Gap Opening in Bilayer Graphene-CrCl3/CrBr3/CrI3 van der Waals Interfaces
(Nano Lett., 2022, DOI:10.1021/acs.nanolett.2c02369)
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